7月30日，香港科技園公司（下稱科技園公司）與麻省光子技術（香港）有限公司（下稱麻省光子技術）在香港科學園舉行香港首條超高真空「第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮」。

麻省光子技術計劃於香港科學園設立香港首個「第三代半導體氮化鎵外延工藝」全球研發中心，以及於創新園開設香港首條超高真空量產型氮化鎵外延片中試線，預計將在香港投資至少2億港元及設立研發團隊，將加速推動香港新型工業化，带動整個第三代半導體產業鏈佈局，推動香港微電子產業發展。

香港微電子研發院將於今年成立

香港特區政府創新科技及工業局局長孫東出席啟動禮並在致辭中表示，香港要因地制宜發展新質生產力，必須發揮好國際化優勢和雄厚的科研實力，支持優勢科技產業在港發展，第三代半導體就是香港近年來重點發展的科技領域。

孫東介紹，特區政府正以產業導向為原則，推進微電子產業發展。香港微電子研發院將於今年內成立，並將設立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協助初創、中小企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。 

香港科技園公司署理首席企業發展總監及創科生態業務發展總監柯志成與麻省光子技術（香港）有限公司首席營銷官趙春雷進行簽署儀式

香港科技園公司行政總裁黄克強表示，科技園公司一直配合特區政府，全力發展微電子產業。科學園園區現有從事與微電子相關業務的公司逾200家。科技園公司為企業提供微電子硬件基礎設施及實驗室，以及將於今年起投入運作、位於元朗創新園的微電子中心。其中微電子中心將設兩條由微電子研發院打造的中試線，為產業鏈上中下游的企業，從設計、原型製作到試產提供全面支持，有助於提升香港微電子的研發實力及推動產業化。

計劃3年内完成中試並啟動在香港的氮化鎵外延量產產線建設 

麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韬表示，麻省光子技術計劃今年於香港科學園開設香港首家「第三代半導體氮化镓外延工藝」全球研發中心，開發8寸先進氮化鎵外延片工藝及設備平台，用於製作氮化鎵光電子和功率器件。作為首家進駐香港的氮化鎵（GaN）外延技術公司，他們致力於在中國香港推動高階第三代半導體晶圆技術的研發和量產，並借助中國香港的國際化市場地位，積極参與全球半導體競爭。 

據介紹，該企業採用中國獨有的超高真空第三代半導體外延技術，突破了傳統外延技術設備和工藝的限制，製作出高性能氮化鎵光電子和功率半導體晶圓片。這些晶圓片可應用於大健康醫療、消費電子、光伏、數據中心、電動汽車、軌道交通和超高壓電力輸送等領域。 

廖翊韬介紹，麻省光子技術計劃入駐新建的香港科技園微電子中心，建設香港首條8寸氮化鎵外延片研發中試產線，並聯合香港微電子專家開發下游的氮化鎵光電子和功率半導體器件。通過新產品的中試研發和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包，3年内完成中試並啟動在香港的氮化鎵外延量產產線建設，實現年產1萬片8寸氮化鎵晶圓片的產能目標，並將在中國香港製造的外延片產品推向全球市場。 

此外，廖翊韬對廣州日報記者表示，無論是從電子元器件的研發、製作和分銷來看，還是從作爲消費電子以及專業工業化領域器件的原產地和市場來看，粵港澳大灣區都是一個非常重要的市場。「基於我們在香港研發的產品，我們也希望背靠内地市場，支撐我們實現高階產品的落地和市場突破、利潤獲取，再投入到我們在香港的再研發，形成一個良好的正向循環機制。」

文/廣州日報港澳記者站記者：林欣潼、曾毅
圖/廣州日報港澳記者站記者：羅知鋒
視頻/廣州日報港澳記者站記者：羅知鋒
廣州日報新花城編輯：薛琰